安森美宣布推出三款基于碳化硅的功率模塊可提高能效并縮短xEV的充電時(shí)間

2022-10-08 09:16:04來(lái)源： TechWeb.com.cn

10 月 5 日消息，安森美 (onsemi) 近日宣布推出三款基于碳化硅 (以下簡(jiǎn)稱”SiC”) 的功率模塊，采用壓鑄模技術(shù)，用于所有類型電動(dòng)汽車 (以下簡(jiǎn)稱“xEV”) 的車載充電和高壓 (以下簡(jiǎn)稱“HV”) DCDC 轉(zhuǎn)換。APM32 系列是把 SiC 技術(shù)和壓鑄模封裝相結(jié)合的行業(yè)首創(chuàng)產(chǎn)品，可提高能效并縮短 xEV 的充電時(shí)間，專用于 11 kW 到 22 kW 的大功率車載充電器 (以下簡(jiǎn)稱“OBC”)。

這三款模塊都表現(xiàn)出低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的優(yōu)勢(shì)，結(jié)合同類最佳的熱阻和高壓隔離，可處理 800 V 總線電壓。更高的能效和更少的發(fā)熱最終使 OBC 的性能更強(qiáng)大。它使 xEV 充電更快和續(xù)航里程更遠(yuǎn)，這是消費(fèi)者極為看重的兩個(gè)關(guān)鍵因素。

憑借安森美的端到端 SiC 供應(yīng)鏈能力和經(jīng)驗(yàn)證的 SiC MOSFET 和二極管，APM32 模塊具有高可靠性，且每個(gè)模塊都序列化，完全可追溯。這些模塊可在高達(dá) 175℃的結(jié)溫 (Tj) 下工作，即使在具挑戰(zhàn)性的、空間受限的汽車應(yīng)用中也能確保可靠性。

APM32 系列的兩個(gè)模塊 NVXK2TR40WXT 和 NVXK2TR80WDT 采用 H 橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，擊穿 (V (BR) DSS) 電壓 1200 V，從而確保適用于高壓電池組。它們被設(shè)計(jì)用于 OBC 和 HV DCDC 轉(zhuǎn)換段。第三款模塊 NVXK2KR80WDT 采用維也納整流器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，用于 OBC 的功率因素校正 (PFC) 段。6-pack 模塊和全橋模塊也將很快推出，以完善 SiC OBC 的產(chǎn)品組合。

三款模塊都采用小巧、強(qiáng)固的雙列直插式封裝 (DIP)，確保了模塊的低阻抗。頂部水冷和隔離功能符合最嚴(yán)格的汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。爬電距離和電氣間隙符合 IEC 60664-1 和 IEC 60950-1。此外，這些模塊還符合 AEC-Q101 和 AQG 324 車規(guī)。

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