三星Galaxy S21+真機(jī)上手圖曝光：居中開孔全面屏設(shè)計(jì)

2020-12-31 14:55:29來源：TechWeb

據(jù)此前官方發(fā)布的信息顯示，全新的三星Galaxy S21系列旗艦將有望在明年1月7日開啟預(yù)訂，并在一周后的1月14日正式發(fā)布，包含S21、S21+、S21Ultra三個(gè)版本。隨著發(fā)布時(shí)間的日益臨近，關(guān)于該機(jī)外觀和配置的爆料已越來越詳細(xì)。現(xiàn)在有最新消息，近日有國外爆料達(dá)人進(jìn)一步曬出了據(jù)稱是Galaxy S21+的真機(jī)上手圖，其詳細(xì)的外觀設(shè)計(jì)也再度展現(xiàn)在大家面前。

據(jù)該博主最新曬出的諜照顯示，與此前曝光的消息基本一致，全新的三星GalaxyS21+依舊將采用居中開孔全面屏設(shè)計(jì)，同時(shí)屏幕邊框極窄并幾乎做到了四邊等寬，正面的視覺效果十分震撼。至于機(jī)身背部，該機(jī)采用的是后置三攝的方案，且造型極具辨識(shí)度。而此前有消息稱其規(guī)格為6400萬像素長焦+1200萬像素主攝+1200萬像素超廣角的后置三攝組合，支持3X混合光學(xué)變焦，其中主攝光圈為F/1.8，等效焦距為26mm米，支持OIS光學(xué)防抖。

其他方面，根據(jù)此前曝光的消息，全新的三星Galaxy S21+將采用的是一塊6.7英寸OLED顯示屏，分辨率為FHD+，最高支持120Hz刷新率。除了將首發(fā)搭載全新的驍龍888外，還將推出搭載自家全新的Exynos 2100移動(dòng)平臺(tái)的版本，同為5nm工藝制程，均將采用“1+3+4”八核心設(shè)計(jì)，其中“1”為超大核心Cortex X1，峰值性能比Cortex A78高23%，堪稱真正意義上的“超大核”。此外，該機(jī)還將內(nèi)置4800mAh電池，支持25W快充。

據(jù)悉，全新的三星Galaxy S21系列旗艦將有望在明年1月14日亮相，將首發(fā)搭載高通驍龍888、三星Exynos 2100兩款5nm旗艦芯片，并且將會(huì)在拍照、快充等方面帶來更多的亮點(diǎn)。至于更多詳細(xì)信息，我們拭目以待。

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